MOSFET IRF 630 CANALE N 300 mO 9,3 AMPER TO-220AB

Specifiche Attributo Valore Tipo di canale N Corrente massima continuativa di drain 9,3 A Tensione massima drain source 200 V Tipo di package TO-220AB Tipo di montaggio Su foro Numero pin 3 Resistenza massima drain source 300 mO Modalità del canale Enhancement Tensione di soglia gate massima 4V Tensione di soglia gate minima 2V Dissipazione di potenza massima 82 W Configurazione transistor Singolo Tensione massima gate source -20 V, +20 V Carica gate tipica @ Vgs 35 nC a 10 V Larghezza 4.69mm Lunghezza 10.54mm Massima temperatura operativa +175 °C Numero di elementi per chip 1 Materiale del transistor Si Serie HEXFET Minima temperatura operativa -55 °C Altezza 8.77mm