MOSFET IRF840A Vishay, canale N, 850 mO, 8 A, TO-220AB, SU FORO

MOSFET IRF840A Vishay, canale N, 850 mO, 8 A, TO-220AB, SU FORO
Specifiche
Attributo Valore
Tipo di canale N
Corrente massima continuativa di drain 8 A
Tensione massima drain source 500 V
Tipo di package TO-220AB
Tipo di montaggio Su foro
Numero pin 3
Resistenza massima drain source 850 mO
Modalità del canale Enhancement
Tensione di soglia gate minima 2V
Dissipazione di potenza massima 125 W
Configurazione transistor Singolo
Tensione massima gate source -30 V, +30 V
Lunghezza 10.41mm
Massima temperatura operativa +150 °C
Numero di elementi per chip 1
Carica gate tipica @ Vgs 38 nC a 10 V
Materiale del transistor Si
Larghezza 4.7mm
Altezza 9.01mm
Minima temperatura operativa -55 °C

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor